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PERC:与现有常规产线具备较高兼容性钝化发射极和背面(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)电池技术指利用钝化材料对电池背面进行钝化，从而克服了常规电池背表面光学和电学损失，电池转换效率获得有效提升。目前，PERC已成为主流高效电池技术。PERC技术与常规电池产线具备较高兼容性，增加两道额外工序，分别为:(a)背面钝化层的沉积;(b)激光开槽。背钝化设备为PERC电池技术的关键生产设备。目前，PERC电池钝化膜沉积主要使用两种方法，分别为等离子化学气相沉积法(PECVD)与原子层沉积法(ALD)，其中PECVD占比约九成。根据设备形态的不同，PECVD沉积设备可分为板式PECVD与管式PECVD;ALD沉积设备可分为管式ALD、板式ALD、单片ALD。PECVD沉积设备与ALD沉积设备各有优势。其中，PECVD优势主要体现为一次性沉积氧化铝与氮化硅，硅片上下料工序有所减少，生产具备连续性;ALD优势主要体现为氧化铝结构缺陷小，膜厚可控(相对较薄)。竞争格局:根据设备形态划分，背钝化设备供应商主要包括:板式PECVD:海外供应商主要为MeyerBurger公司的MAIA;管式PECVD:海外供应商主要为Centrotherm公司等;国内包括无锡松煜、深圳捷佳伟创等。进口电子仪器设备报关流程，手续，二手半导体设备报关服务代理。宁波代理半导体设备进口报关资料

公司是一家集真空仪器装置研发、生产、销售、服务为一体的高科技企业，其前身是中国科学院沈阳科学仪器研制中心，创建于1958年。主要研发生产各类薄膜材料制备设备、纳米材料制备设备、真空冶金设备、单晶炉、太阳能光伏设备、集成电路装备、大科学工程装备、无油真空获得及系统集成汉钟精机技术改善提升干泵寿命，产品性价比优势有望加速国产化替代进程。公司产品经过不断地技术改善和优化，真空产品抽气量达到80-7000m3/h，可满足各制程抽气需求。汉钟精机具备专业超高精度螺杆设计加工技术，螺杆转子具有更短的抽气路径、更少的密封面，能更有效的处理严苛制程，并延长使用寿命；同时具备半导体专有奈米陶瓷涂层，能更好的处理腐蚀气体、粉尘及粘稠物质；热氮系统方面，在CVD/ETCH制程中表现出色；双层壳体加冷却系统方面，更能保证转子的均匀降温，减少磨损，增加使用寿命。目前，公司正积极在国内半导体产业扩大推广，通过中国台湾汉钟在半导体产业的成功案例，已成功通过国内多家大型半导体企业的验证，目前与北京、深圳、上海等多家半导体设备企业已展开合作；另外，在芯片代工厂方面也在同步展开销售，如无锡、江阴、上海等地企业。随着半导体行业不断发展。杭州专业半导体设备进口报关怎么收费上海进口设备代理公司，进口精密半导体设备报关注意问题，欢迎来电咨询。

HJT:未来增长潜力无限异质结电池作为N型单晶双面电池的一员，早由日本三洋公司于1990年成功研发。2015年，三洋关于异质结的**保护结束，行业迎来大发展时期。异质结电池的特性包括以下几点:优点:(a)工艺流程短，工序少;(b)无光致衰减;(c)双面发电;(d)采用低温工艺从而热耗减少;(e)对称结构更利于薄片化.待改进点:(a)虽然电池效率相较于P型电池具有优势，但初期投资成本过高。目前，异质结单位投资额约为10亿元/GW，同期PERC为4亿元左右。(b)异质结电池的生产设备与现有常规晶硅电池不兼容。(c)无法采用常规晶硅电池的后续高温封装工艺，取而代之的为低温组件封装工艺。异质结电池生产工序包括:硅片→清洗→制绒→正面沉积非晶硅薄膜→背面沉积非晶硅薄膜→正反面沉积TCO薄膜→丝网印刷电极→边缘隔离→测试。概括来说，主要的四个工艺步骤为:制绒清洗→非晶硅薄膜沉积→TCO制备→电极制备。其中，非晶硅薄膜沉积、TCO制备工艺要求较高，目前以海外供应商为主。非晶硅薄膜沉积领域:主要用到的设备为等离子化学气相沉积(PECVD)与热丝化学气相沉积(Cat-CVD/HWCVD)。非晶硅沉积设备主流供应商包括美国应用材料、瑞士梅耶博格、韩国周星、日本爱发科、日本真空等。

产品:PVD+CVD+刻蚀+离子注入+湿法+检测AMAT(应用材料)是全球薄膜生长设备。AMAT创建于1967年，1972年10月1日在美国纳斯达克上市，1992年成为全球比较大的半导体设备制造商，并蝉联这一头衔至今。AMAT通过数次并购活动，不断扩充产品线，基本涵盖了半导体前道制造的主要设备，包括原子层沉积ALD、物相沉积PVD、化学气相沉积CVD、刻蚀ETCH、离子注入、快速热处理RTP、化学机械抛光CMP、电镀、测量和圆片检测设备等。、LamResearch:刻蚀机，CVD第三、产品:刻蚀+CVDLamResearch(泛林集团、科林研发、拉姆研究)是全球刻蚀设备，成立于1980年，总部位于美国加利福尼亚州，1984年5月在纳斯达克上市。1997年3月，。2006年，收购了BullenSemiconductor。2008年，收购了SEZAG。2012年，以33亿美元收购了NovellusSystems。、TEL:四项第二，涂布/显影、产品:刻蚀机+CVD+涂布/显影+扩散炉+清洗TEL(东京电子)于1963年在日本东京成立;1968年，与ThermcoProductsCorp合作开始生产半导体设备;1980年，在东京证券交易所上市;1983年，与美国公司拉姆研究合作，引进当时前列的美国技术，在日本本土开始生产刻蚀机。目前公司主要产品包括半导体设备和平板显示设备。报关手续包括填写进口报关单、提供相关证明文件、缴纳关税等。

二手半导体设备进口注意事项1、如实申报商品原值、使用年限等申报要素：在海关审价过程中，原值、使用年限都是旧设备核实余的要素，同样也是审价参考依据，伪M报这两个申报要素，变相等同于伪M报价格。2、正确理解值率：网上对于值率有两种定义：一是某固定资产不能再继续使用时余与购入时价格的比率；二是某固定资产需要进行资产清算时与购入时价格的比率。在通关过程中，报关企业、经营单位及收货单位往往根据字面或者自身理解倾向于认同第二种定义；其实，在海关审价过程中是采用种值率的定义，千万别搞错啦。3、审价时尽可能详细提供原值采购F票以及其他应付费用的协议、F票等资料：根据《中华共H国海关审定进出口货物完税价格办法》中第七条：“进口货物的成交价格，是指卖方向中华共H国境内销售该货物时买方为进口该货物向卖方实付、应付的，并且按照本办法中第三节的规定调整后的价款总额，包括直接支付的价款和间接支付的价款。”二手旧设备进口中，原值是审核设备进口后余的基本要素，提供原值F票有助于海关审价核实企业直接支付价款的客观真实性。另外二手旧设备必然涉及出口国工厂设备拆卸、重新包装、运输至出口港等一系列其他费用。日本设备进口清关公司，中国台湾半导体机器进口清关服务代理，半导体设备工厂清关代理公司。晶圆报关。西班牙专业的半导体设备进口报关哪家好

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2016年，印发《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划。规划提出，到2020年，战略性新兴产业增加值(含半导体产业)占国内生产总值比重达到15%。半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等设备的国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。具体来讲，28nm的刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化扩散炉、清洗设备和离子注入机已经实现量产；14nm的硅/金属刻蚀机、薄膜沉积设备、单片退火设备和清洗设备已经开发成功。8英寸的CMP设备也已在客户端进行验证；7nm的介质刻蚀机已被中微半导体开发成功；上海微电子已经实现90nm光刻机的国产化。在中低端制程，国产化率有望得到提升，先进制程产线为保证产品良率，目前仍将以采购海外设备为主。光刻机：高精度光刻机被ASML、尼康、佳能三家垄断，上海微电子是国内前列的光刻机制造商，公司封装光刻机国内市占率80%，全球40%，光刻机实现90nm制程，并有望延伸至65nm和45nm。宁波代理半导体设备进口报关资料